Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLP05H635XRY Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLP05H635XRY specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS, Gemeenschappelijke Bron
Frequentie 108MHz
Aanwinst 27dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 10mA
Macht - Output 35W
Geschat voltage - 135V
Pakket/Geval Dronkaard-1223-2
Het Pakket van het leveranciersapparaat 4-HSOPF
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLP05H635XRY verpakking

Opsporing

BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLP05H635XRY gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)