Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF7S24250NR3 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: TRANS rf LDMOS 250W 32V Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF7S24250NR3 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 2.45GHz
Aanwinst 14.7dB
Voltage - Test 30V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 100mA
Macht - Output 256W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval OM-780-2
Het Pakket van het leveranciersapparaat OM-780-2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF7S24250NR3 verpakking

Opsporing

MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF7S24250NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)