Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF6VP3450HR6 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF6VP3450HR6 specificaties

Deelstatus Niet voor Nieuwe Ontwerpen
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 860MHz
Aanwinst 22.5dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 1.4A
Macht - Output 90W
Geschat voltage - 110V
Pakket/Geval Ni-1230
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-1230
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF6VP3450HR6 verpakking

Opsporing

MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF6VP3450HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)