Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLF878,112 Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 89V 21DB SOT979A Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLF878,112 specificaties

Deelstatus Verouderd
Transistortype (Dubbele) LDMOS, Gemeenschappelijke Bron
Frequentie 860MHz
Aanwinst 21dB
Voltage - Test 40V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 1.4A
Macht - Output 300W
Geschat voltage - 89V
Pakket/Geval Dronkaard-979A
Het Pakket van het leveranciersapparaat CDFM2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLF878,112 verpakking

Opsporing

BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLF878,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)