Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MMRF1306HR5 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MMRF1306HR5 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 230MHz
Aanwinst 24dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 100mA
Macht - Output 1250W
Geschat voltage - 133V
Pakket/Geval Dronkaard-979A
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-1230-4H
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MMRF1306HR5 verpakking

Opsporing

MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MMRF1306HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)