Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MMRF1008HR5 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MMRF1008HR5 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 1.03GHz
Aanwinst 20.3dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 100mA
Macht - Output 275W
Geschat voltage - 100V
Pakket/Geval Dronkaard-957A
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-780h-2L
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MMRF1008HR5 verpakking

Opsporing

MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MMRF1008HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)