Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: NPT2010 Fabrikant: M/A-Com Technologieoplossingen
Beschrijving: HEMT n-CH 48V 100W gelijkstroom-2.2GHZ Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

NPT2010 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 0Hz ~ 2.2GHz
Aanwinst 15dB
Voltage - Test 48V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 600mA
Macht - Output 95W
Geschat voltage - 48V
Pakket/Geval -
Het Pakket van het leveranciersapparaat -
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

NPT2010 verpakking

Opsporing

NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2NPT2010 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)