Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MMRF1009HR5 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MMRF1009HR5 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 1.03GHz
Aanwinst 19.7dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 200mA
Macht - Output 500W
Geschat voltage - 110V
Pakket/Geval Dronkaard-957A
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-780h-2L
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MMRF1009HR5 verpakking

Opsporing

MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MMRF1009HR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)