Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SCT3120ALGC11 Fabrikant: Rohm Halfgeleider
Beschrijving: MOSFET NCH 650V 21A TO247N Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

SCT3120ALGC11 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie SiCFET (Siliciumcarbide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 21A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5.6V @ 3.33mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 38nC @ 18V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 460pF @ 500V
(Maximum) Vgs +22V, -4V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 103W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Werkende Temperatuur 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247N
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SCT3120ALGC11 verpakking

Opsporing

SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SCT3120ALGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)