Bericht versturen
Thuis > producten > Veldeffecttransistor > IXTH48N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IXTH48N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Categorie:
Veldeffecttransistor
Prijs:
onderhandelbaar
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
IXTH48N65X2
Fabrikant:
IXYS
Beschrijving:
MOSFET n-CH 650V 48A aan-247
Categorie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Inleiding

IXTH48N65X2 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 48A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 4mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 77nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 4420pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 660W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 68 mOhm @ 24A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IXTH48N65X2 verpakking

Opsporing

IXTH48N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsIXTH48N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsIXTH48N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsIXTH48N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable