IXTH48N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Specificaties
Artikelnummer:
IXTH48N65X2
Fabrikant:
IXYS
Beschrijving:
MOSFET n-CH 650V 48A aan-247
Categorie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Inleiding
IXTH48N65X2 specificaties
Deelstatus | Actief |
---|---|
FET Type | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metaaloxide) |
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) | 650V |
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C | 48A (Tc) |
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart | 4.5V @ 4mA |
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds | 4420pF @ 25V |
(Maximum) Vgs | ±30V |
FET Eigenschap | - |
(Maximum) machtsdissipatie | 660W (Tc) |
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs | 68 mOhm @ 24A, 10V |
Werkende Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Opzettend Type | Door Gat |
Het Pakket van het leveranciersapparaat | Aan-247 |
Pakket/Geval | Aan-247-3 |
Verzending | UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk. |
Voorwaarde | Nieuwe originele fabriek. |
IXTH48N65X2 verpakking
Opsporing
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable