Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SCT3160KLGC11 Fabrikant: Rohmhalfgeleider
Beschrijving: MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

SCT3160KLGC11 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie SiCFET (Siliciumcarbide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 17A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5.6V @ 2.5mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 42nC @ 18V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 398pF @ 800V
(Maximum) Vgs +22V, -4V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 103W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 208 mOhm @ 5A, 18V
Werkende Temperatuur 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247N
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SCT3160KLGC11 verpakking

Opsporing

SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SCT3160KLGC11 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)