STP34N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Specificaties
Artikelnummer:
STP34N65M5
Fabrikant:
STMicroelectronics
Beschrijving:
MOSFET n-CH 650V 28A aan-220
Categorie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Reeks:
MDmesh™ V
Inleiding
STP34N65M5 specificaties
Deelstatus | Actief |
---|---|
FET Type | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metaaloxide) |
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) | 650V |
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C | 28A (Tc) |
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart | 5V @ 250µA |
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs | 62.5nC @ 10V |
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds | 2700pF @ 100V |
(Maximum) Vgs | ±25V |
FET Eigenschap | - |
(Maximum) machtsdissipatie | 190W (Tc) |
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs | 110 mOhm @ 14A, 10V |
Werkende Temperatuur | 150°C (TJ) |
Opzettend Type | Door Gat |
Het Pakket van het leveranciersapparaat | Aan-220 |
Pakket/Geval | Aan-220-3 |
Verzending | UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk. |
Voorwaarde | Nieuwe originele fabriek. |
STP34N65M5 verpakking
Opsporing
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable