Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STW54NM65ND Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 59A aan-247 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: FDmesh™ II

STW54NM65ND specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 49A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 188nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6200pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 350W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 65 mOhm @ 24.5A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247-3
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STW54NM65ND verpakking

Opsporing

STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STW54NM65ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)