Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: R6046ANZ1C9 Fabrikant: Rohmhalfgeleider
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 46A TO247 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

R6046ANZ1C9 specificaties

Deelstatus Niet voor Nieuwe Ontwerpen
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 46A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6000pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 120W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 90 mOhm @ 23A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

R6046ANZ1C9 verpakking

Opsporing

R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2R6046ANZ1C9 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)