Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STWA88N65M5 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 84A aan-247 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ V

STWA88N65M5 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 84A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 204nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 8825pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 450W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 29 mOhm @ 42A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STWA88N65M5 verpakking

Opsporing

STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STWA88N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)