Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: Dmn55d0utq-7 Fabrikant: Opgenomen dioden
Beschrijving: MOSFET N-CH 50V 160MA DRONKAARD-523 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

Dmn55d0utq-7 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 50V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 160mA (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs -
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 25pF @ 10V
(Maximum) Vgs ±12V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 200mW (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 4 ohm @ 100mA, 4V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat Dronkaard-523
Pakket/Geval Dronkaard-523
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Dmn55d0utq-7 verpakking

Opsporing

Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2Dmn55d0utq-7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)