Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SSM3J304T (TE85L, F) Fabrikant: De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Beschrijving: MOSFET p-CH 20V 2.3A TSM Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: U-MOSIII

SSM3J304T (TE85L, F) Specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type P-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 20V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 2.3A (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart -
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 6.1nC @ 4V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 335pF @ 10V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 700mW (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 127 mOhm @ 1A, 4V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat TSM
Pakket/Geval AAN-236-3, SC-59, DRONKAARD-23-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SSM3J304T (TE85L, F) Verpakkend

Opsporing

SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SSM3J304T (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)