Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STFI260N6F6 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 60V 80A I2PAKFP Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: DeepGATE™, STripFET™ VI

STFI260N6F6 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 60V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 80A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 183nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 11400pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 41.7W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 3 mOhm @ 60A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAKFP (AAN-281)
Pakket/Geval Aan-262-3 volledig Pak, I ² Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STFI260N6F6 verpakking

Opsporing

STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STFI260N6F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)