Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP18NM60ND Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 13A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: FDmesh™ II

STP18NM60ND specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 13A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1030pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 110W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 290 mOhm @ 6.5A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP18NM60ND verpakking

Opsporing

STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP18NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)