Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STFI26NM60N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 20A I2PAK vriespunt Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STFI26NM60N specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 20A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1800pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 35W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAKFP (AAN-281)
Pakket/Geval Aan-262-3 volledig Pak, I ² Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STFI26NM60N verpakking

Opsporing

STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STFI26NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)