Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SIHP24N65E-E3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 24A TO220AB Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

SIHP24N65E-E3 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 24A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 122nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 2740pF @ 100V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 250W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 145 mOhm @ 12A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SIHP24N65E-E3 verpakking

Opsporing

SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SIHP24N65E-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)