Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IXFP34N65X2 Fabrikant: IXYS
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 34A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: HiPerFET™

IXFP34N65X2 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 34A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5.5V @ 2.5mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 56nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 3330pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 540W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 105 mOhm @ 17A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IXFP34N65X2 verpakking

Opsporing

IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IXFP34N65X2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)