Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP200NF03 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 30V 120A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™ III

STP200NF03 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 140nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 4950pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 300W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 3.6 mOhm @ 60A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP200NF03 verpakking

Opsporing

STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP200NF03 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)