Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: Sira52dp-t1-GE3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 40V 60A PPAK zo-8 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: TrenchFET®

Sira52dp-t1-GE3 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 40V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 60A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 7150pF @ 20V
(Maximum) Vgs +20V, -16V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 48W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1.7 mOhm @ 15A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat PowerPAK® zo-8
Pakket/Geval PowerPAK® zo-8
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Sira52dp-t1-GE3 Verpakking

Opsporing

Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2Sira52dp-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)