Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IPW65R280E6 Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 13.8A TO247 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: CoolMOS™

IPW65R280E6 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 13.8A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 3.5V @ 440µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 950pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 104W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 280 mOhm @ 4.4A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-to247-3
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IPW65R280E6 verpakking

Opsporing

IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IPW65R280E6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)