Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STU6N65K3 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 5.4A IPAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: SuperMESH3™

STU6N65K3 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 5.4A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 50µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 880pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 110W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1,3 Ohm @ 2.7A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I-Pak
Pakket/Geval Aan-251-3 korte Lood, IPak, aan-251AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STU6N65K3 verpakking

Opsporing

STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STU6N65K3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)