Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: PSMN2R0-60ES, 127 Fabrikant: Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving: MOSFET n-CH 60V 120A I2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

PSMN2R0-60ES, 127 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 60V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 137nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 9997pF @ 30V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 338W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 2.2 mOhm @ 25A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PSMN2R0-60ES, 127 die verpakken

Opsporing

PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2PSMN2R0-60ES, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)