Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP100NF04 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 40V 120A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™ II

STP100NF04 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 40V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 5100pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 300W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 4.6 mOhm @ 50A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP100NF04 verpakking

Opsporing

STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP100NF04 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)