Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: TK14N65W5, S1F Fabrikant: De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 13.7A aan-247 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: DTMOSIV

TK14N65W5, S1F-Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 13.7A (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 690µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1300pF @ 300V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 130W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

TK14N65W5, S1F-Verpakking

Opsporing

TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2TK14N65W5, S1F-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)