Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB22NM60N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 16A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STB22NM60N specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 16A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 100µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 44nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1300pF @ 50V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 125W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 220 mOhm @ 8A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB22NM60N verpakking

Opsporing

STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB22NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)