Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: TK12E80W, S1X Fabrikant: De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Beschrijving: MOSFET n-CH 800V 11.5A to220-3 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: DTMOSIV

TK12E80W, S1X-Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 800V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 11.5A (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 570µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1400pF @ 300V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 165W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 450 mOhm @ 5.8A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

TK12E80W, S1X-Verpakking

Opsporing

TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2TK12E80W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)