Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IRFIBC40GPBF Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 3.5A TO220FP Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

IRFIBC40GPBF specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 3.5A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 40W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1,2 Ohm @ 2.1A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220-3
Pakket/Geval Aan-220-3 volledig Pak, Geïsoleerd Lusje
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRFIBC40GPBF verpakking

Opsporing

IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IRFIBC40GPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)