Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STI24N60M2 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 18A I2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II plus

STI24N60M2 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 18A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1060pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 150W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 190 mOhm @ 9A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STI24N60M2 verpakking

Opsporing

STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STI24N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)