Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IRFSL4310ZPBF Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET n-CH 100V 120A aan-262 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: HEXFET®

IRFSL4310ZPBF specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 100V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 150µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6860pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 250W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 6 mOhm @ 75A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-262
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRFSL4310ZPBF verpakking

Opsporing

IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IRFSL4310ZPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)