Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP13NM60ND Fabrikant: ST Micro-elektronica
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 11A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: FDmesh™ II

STP13NM60ND specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 11A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 24.5nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 845pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 109W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP13NM60ND verpakking

Opsporing

STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP13NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)