Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB85NF55LT4 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 55V 80A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™ II

STB85NF55LT4 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 55V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 80A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 110nC @ 5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 4050pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±15V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 300W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB85NF55LT4 verpakking

Opsporing

STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB85NF55LT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)