Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB100NF03L-03T4 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 30V 100A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™ III

STB100NF03L-03T4 specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 100A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 88nC @ 5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6200pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 300W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 3.2 mOhm @ 50A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB100NF03L-03T4 verpakking

Opsporing

STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB100NF03L-03T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)