Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STI18N65M5 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET N CH 650V 15A I2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ V

STI18N65M5 specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 15A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1240pF @ 100V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 110W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 220 mOhm @ 7.5A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STI18N65M5 verpakking

Opsporing

STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STI18N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)