Bericht versturen
Thuis > producten > Veldeffecttransistor > BUK7E3R5-60E, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

BUK7E3R5-60E, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Categorie:
Veldeffecttransistor
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
BUK7E3R5-60E, 127
Fabrikant:
Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving:
MOSFET n-CH 60V 120A I2PAK
Categorie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Reeks:
Automobiel, aec-Q101, TrenchMOS™
Inleiding

BUK7E3R5-60E, 127 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 60V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 114nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 8920pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 293W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 3.5 mOhm @ 25A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BUK7E3R5-60E, 127 die verpakken

Opsporing

BUK7E3R5-60E, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsBUK7E3R5-60E, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsBUK7E3R5-60E, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsBUK7E3R5-60E, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable