Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB20NM50T4 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 550V 20A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™

STB20NM50T4 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 550V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 20A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 56nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1480pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 192W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 250 mOhm @ 10A, 10V
Werkende Temperatuur -65°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB20NM50T4 verpakking

Opsporing

STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB20NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)