Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB14NM65N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 12A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STB14NM65N specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 12A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1300pF @ 50V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 125W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB14NM65N verpakking

Opsporing

STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB14NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)