Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SUM60N02-3M9P-E3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 20V 60A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: TrenchFET®

SUM60N02-3M9P-E3 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 20V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 60A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 3V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 5950pF @ 10V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 3.9 mOhm @ 20A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-263 (D2Pak)
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SUM60N02-3M9P-E3 verpakking

Opsporing

SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SUM60N02-3M9P-E3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)