Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IPD90N04S405ATMA1 Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET n-CH 40V 86A to252-3-313 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: Automobiel, aec-Q101, OptiMOS™

IPD90N04S405ATMA1 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 40V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 86A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 30µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 37nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 2960pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 65W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 5.2 mOhm @ 86A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-to252-3-313
Pakket/Geval Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IPD90N04S405ATMA1 verpakking

Opsporing

IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IPD90N04S405ATMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)