Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: PHB32N06LT, 118 Fabrikant: Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving: MOSFET n-CH 60V 34A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: TrenchMOS™

PHB32N06LT, 118 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 60V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 34A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 5V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 17nC @ 5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1280pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±15V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 97W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 37 mOhm @ 20A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PHB32N06LT, 118 die verpakken

Opsporing

PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2PHB32N06LT, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)