Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: Siss40dn-t1-GE3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 100V 36.5A PPAK 1212 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: ThunderFET®

Siss40dn-t1-GE3 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 100V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 36.5A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 3.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 845pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 21 mOhm @ 10A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat PowerPAK® 1212-8S
Pakket/Geval PowerPAK® 1212-8S
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Siss40dn-t1-GE3 Verpakking

Opsporing

Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2Siss40dn-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)