Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB4NK60ZT4 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 4A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: SuperMESH™

STB4NK60ZT4 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 4A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 50µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 26nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 510pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 70W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 2 ohm @ 2A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB4NK60ZT4 verpakking

Opsporing

STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB4NK60ZT4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)