Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STF7N60M2 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET N-CH 600V AAN-220FP Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II plus

STF7N60M2 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 5A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 8.8nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 271pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 20W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 950 mOhm @ 2.5A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220FP
Pakket/Geval Aan-220-3 volledig Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STF7N60M2 verpakking

Opsporing

STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STF7N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)