Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STF18N55M5 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 550V 13A TO220FP Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ V

STF18N55M5 specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 550V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 16A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1260pF @ 100V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 25W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 192 mOhm @ 8A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220FP
Pakket/Geval Aan-220-3 volledig Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STF18N55M5 verpakking

Opsporing

STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STF18N55M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)