Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP10NM65N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 9A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STP10NM65N specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 9A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 850pF @ 50V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 90W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 480 mOhm @ 4.5A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP10NM65N verpakking

Opsporing

STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP10NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)