Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB32NM50N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET N CH 500V 22A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STB32NM50N specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 500V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 22A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 62.5nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1973pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 190W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 130 mOhm @ 11A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-263 (D ² Pak)
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB32NM50N verpakking

Opsporing

STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB32NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)